2019年3月，芯聯成順利完成對原有晶片工藝分析實驗室的改造擴建，全面提升晶片工藝分析能力。

         對於晶片工藝分析工程而言，打造一個封閉的超淨空間，並將空氣中的塵粒最大允許數嚴格控制在一定範圍內，能夠有效控制晶片所接觸空氣的潔淨度和溫濕度，減少對晶片拍照造成的不必要污染。同時有助於消除靜電和電磁干擾，提升設備的刻蝕效果。

目前芯聯成有足夠的技術實力和設備能量，承接10nm以上各種類型晶片的工藝分析與電路競爭力分析。在超淨間無塵實驗室內，業已投入SEM/OM、ICP、RIE、IBE、RIBE、CMP等多台高階設備，洞悉前沿技術，能為客戶提供高品質的技術服務。

                                                                                                        10nm M1

        隨著晶片工藝節點的不斷縮小，晶片工藝分析也面臨更多技術實現難點，芯聯成不斷升級實驗裝備，為迎接未來更小工藝制程工藝分析做好充份的準備。